台积电稍早于2025年北美技术论坛中揭晓下一世代A14制程技术，锁定高效能运算、智慧型手机、汽车，以及物联网等应用，并且标榜相比今年稍晚将进入量产的N2制程可在相同功耗下提升15%执行效能，或是在相同效能下减少30%功耗，并且可让电路逻辑密度提高20%。

同时，台积电预计A14制程技术将在2028年开始投入量产，更强调目前开发进展顺利，良率甚度优于原本预期表现，同时也说明结合本身在纳米片晶体管的设计技术与优化经验，更将其TSMC NanoFlex标准单元架构发展为NanoFlex Pro，藉此实现更好的效能、能源效率和设计灵活性。

除了A14制程技术，台积电也同步公布新逻辑制程、特殊制程、先进封装及3D芯片堆叠技术，藉此对应接下来广泛发展的高效能运算 （HPC）、智能手机、汽车和物联网技术平台应用需求。

另一方面，台积电也说明继续推进其CoWoS （Chip on Wafer on Substrate）技术，藉此满足人工智能技术发展需要更多电路逻辑、HBM高带宽内存的需求，预计在2027年量产9.5倍光罩尺寸的CoWoS技术，配合先进制程技术将12个或更多组HBM高带宽内存堆叠整合至单一封装单位内。

而台积电也宣布推出以CoWoS技术为基础的SoW-X晶圆解决方案，相比2024年提出的TSMC-SoW，将使晶圆尺寸系统能发挥高于40倍运算能力，预计在2027年进入量产。 其他应用解决方案，则包含导入紧凑型通用光子引擎（COUPE）技术的硅光子整合、用于HBM4高带宽记忆体的N12与N3制程基础裸晶，以及相比电路板上的独立电源管理芯片，能提供5倍垂直功率密度传输，主要用于人工智能运算驱动的新型整合型电压调节器（Integrated Voltage Regulator，IVR）。

至于在各项应用领域发展部分，台积电也说明将以新一代射频技术N4C RF对应高速、低延迟无线连接效能，藉此对应诸如手机等行动装置端大量人工智能运万数据传输吞吐需求，与先前提出的N6RF+相比，N4C RF可对应高达30%的功率及占用面积缩减，并且符合接下来预计推出的Wi-Fi 8芯片设计标准，或是符合人工智能运算的真无线立体声控制芯片， 预计在2026年第一季进入试产。

汽车部分则以N3A制程满足客户需求，目前此制程技术正处于车电零组件可靠度验证AEC-Q100第一级验证最后阶段，同时也将持续改良，以符合汽车零件每百万分之缺陷率（DPPM）的稳定性要求，之后将进入汽车应用生产阶段，为未来的软件定义汽车相关技术应用作准备。 而在物联网应用部分，则是准备以即将生产的超低功耗N6e制程应对，预计会在后续推动N4e制程。